テネシー技術とは異なり TFT ディスプレイの「背面貫通」アプローチの架空光パスが TN 液晶のように頭の上からではなく、下からを使用。この方法は、プレートの下側を通して光源照射液晶の背面に特殊な光管を設定することです。FET 電極は導電性、陰影と光した表示が可能とも、上部および下の層の電極が FET 電極と一般的なオーミック電極に変更されるとき、液晶分子の性能が変わります約 80 ms に、転送、および応答時間が大幅に増加します。ため TN 液晶と豊かな色よりもより高いコントラスト、画面更新の頻度はまた速く、そう"True Color"としてよく知られている TFTDSTN と比較して、TFT 液晶の主な機能、各ピクセルの半導体スイッチ デバイスを構成します。各ピクセルは、ポイント パルスによる直接制御できます。したがって各ノードは、比較的独立して継続的に制御することができます。この設計法だけでなく画面の反応速度を高めるが、またことができます正確に制御、表示階調、これが TFT 色は dstn 理由よりもリアルな。
TFT 液晶ディスプレイの TFT の関数はスイッチ管と同等です。一般的に使用される TFT は、3 端子デバイスです。半導体層は一般的にソースとドレインを接続する両端にガラス基板上に作製しました。半導体とゲート絶縁膜が接続されているし、ゲートを配置しました。ソースと漏れ電極の間の電流はゲート電圧によって制御されます。ディスプレイの画素電極、共通電極間液晶見て各ピクセルを構造的に簡略化できます。電気の角度からコンデンサーと考えることに重要です。等価回路を図 1 に示します。スイッチ T (I, J) の監督、J の画素 p (i, j) の列 I 列を充電して、ターゲットの電圧が信号線 D (i) に適用されます。スイッチが接続されていない場合でも、画素電極が完全に充電、コンデンサーの電荷が保存され電極間液晶層が電圧電界効果を持ち続けます。データ (列) ドライブの機能は、(行) のゲート ドライブは伝導信号ラインのターゲット電圧を発揮し、スイッチの切断です。液晶層の表示電圧は、各ピクセルのストレージ容量に格納できる、ために、液晶層が安定して作業できます。TFT を通じてこの表示電圧は、高精細液晶のようでも、時間の短い期間で書き換えることができます、それは画像の品質要件を減らすことはできません。表示画像のキーは電界の液晶の分子配向です。一般的に、液晶分子の配置は、さまざまな表示モードを達成するために必要な構造変形を生成できるように、基板の内部のオリエンテーションは扱われます。電界操作でディスプレイ モードを選択、液晶分子の向きの変更を生成し、偏光板の一致により、入射光強度を変更する液晶層を通過します、。画像表示を実現するためにつまり TFT 液晶とパッシブ TN、STN 液晶のシンプルなマトリックス、それは各ピクセルでは LCD のスクリーン薄膜トランジスタ (TFT)、選択されていない場合のクロストークを効果的に克服することができますので、表示の液晶画面との数の静的特性本の走査線が、したがって、画像の品質が大幅に向上します。単位 (つまり、TFT) 特性を切り替えると、低抵抗を満たすために必要な閉じた状態の抵抗が非常に大きい。
